Informacje o pracowniku:

dr hab. inż. Jacek Rąbkowski

  • Jednostka macierzysta: Wydział Elektryczny
    Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej
    Zakład Elektroniki Przemysłowej
  • Stanowisko: Profesor uczelni

Informacje kontaktowe:

  • E-mail:Jacek.Rabkowski@isep.pw.edu.pl
  • Telefon: +48 22 234 7269 
  • Pokój GE 308, kl. B 
  • Strona www: http://zep.isep.pw.edu.pl/?page_id=514 
  • Adres korespondencyjny:
    ISEP - Jacek Rąbkowski
    ul. Koszykowa 75
    00-662 Warszawa

Nota biograficzna, profil działalności:

W roku 2000 ukończył studia magisterskie na Wydziale Elektrycznym Politechniki Warszawskiej specjalizując się w energoelektronice i informatyce przemysłowej. W tym samym roku rozpoczął studia doktoranckie w Instytucie Sterowania i Elektroniki Przemysłowej PW, w trakcie których zajął się tematyką topologii i sterowania złożonych układów przekształtnikowych, w tym wielopoziomowych przekształtników napięcia oraz równolegle połączonych falowników prądu. W roku 2005 obronił pracę doktorską pt. „Analiza pracy równoległej trójfazowych przekształtników sieciowych PWM o wyjściu stałoprądowym”. W roku 2014 na podstawie cyklu publikacji pod tytułem „Przyrządy mocy z węglika krzemu: właściwości, sterowanie, zastosowania w energoelektronice” uzyskał stopień doktora habilitowanego.
Od roku 2004 pracuje na Wydziale Elektrycznym PW kolejno na stanowisku asystenta, adiunkta i profesora nadzwyczajnego. W roku 2010 jako stypendysta Centrum Studiów Zaawansowanych PW odbył czteromiesięczny staż w Laboratory of Electrical Energy Conversion w KTH Royal Institute of Technology, Sztokholm (Szwecja). Następnie w latach 2011-13 współpracował z tym laboratorium jako guest researcher biorąc udział w realizacji szeregu projektów badawczych z zakresu zastosowania elementów półprzewodnikowych mocy z węglika krzemu (SiC). W latach 2015-16 współpracował także z Tallin University of Technology (Estonia) w ramach projektu badawczego związanego z nowymi elementami z azotku galu (GaN).
W pracy badawczej zajmuje się przede wszystkim tematyką nowych przyrządów półprzewodnikowych na bazie węglika krzemu i azotku galu (GaN) oraz ich zastosowaniem w układach przekształtnikowych. Rezultatem tych prac jest pierwszy w kraju, i jeden z pierwszych w świecie, falownik trójfazowy „all-SiC”, czyli z elementami półprzewodnikowymi wykonanymi wyłącznie w technologii węglika krzemu (2009). Jest także współautorem pierwszych tego typu konstrukcji w Szwecji (2010), w tym falownika napędowego o mocy 40 kVA o rekordowej sprawności energetycznej osiągniętej dzięki zastosowaniu tranzystorów SiC JFET (2011). Ma za sobą doświadczenia we współpracy z producentami elementów półprzewodnikowych (Transic/Fairchild, Ascatron, Genesic, Acreo). Przy wdrażaniu nowej technologii przyrządów mocy współpracował także z szeregiem partnerów przemysłowych w kraju (MEDCOM, Huettinger, Markel) i za granicą (Alstom Power, Bombardier Transportation, Volvo Cars). Od roku 2017 jest kierownikiem Studiów Podyplomowych „Energoelektronika”, które są realizowane we ścisłej współpracy z partnerem przemysłowym – firmą MEDCOM.
Autor i współautor blisko 180 publikacji ogłoszonych w czasopismach, na konferencjach krajowych i zagranicznych, w tym ponad 20 w periodykach z listy JCR. Współautor 3 zgłoszeń patentowych uznanych przez Urząd Patentowy RP. Recenzent artykułów w szeregu czasopism (m.in. IEEE Transactions on Power Electronics, IEEE Transactions on Industrial Electronics, IEEE Transactions on Industrial Informatics, Industrial Electronics Magazine, Archives of Electrical Engineering, Bulletin of the Polish Academy of Sciences) i konferencji międzynarodowych (m.in. European Conference on Power Electronics and Applications, Energy Conversion Congress and Exposition, Industrial Electronics Conference, International Symposium on Industrial Electronics). Współprzewodniczacy komitetu organizacyjnego międzynarodowej konferencji European Conference on Power Electronics and Applications w roku 2017. Inicjator i organizator corocznego SiC Industry Forum odbywającego się w ramach tej konferencji. Współedytor specjalnego wydania IEEE Transactions on Power Electronics „Special Issue on na konferencji Wide Bandgap Power Devices and Their Applications” (2013) a od 2015 edytor pomocniczy w tym czasopismie. Od roku 2017 pełni także funkcję redaktora pomocniczego w Power Electronics and Drives.
Należy do European Power Electronics Association, gdzie jest członkiem komitetów naukowego, wykonawczego oraz ds. nagród. Jest także członkiem IEEE, należy do Industrial Electronics Society (IES) oraz Power Electronics Society (PELS). W latach 2012-2015 pełnił funkcję kierownika połączonego oddziału Industrial Electronics Society (IES) oraz Power Electronics Society (PELS) w ramach Polskiej Sekcji IEEE. W roku 2013 uzyskał stopień Senior Member.


Konsultacje w 2019Z:

  • Czwartek, w godzinach: 10:00 - 11:00, Gmach Elektrotechniki pokój 308
          w okresie 1.10.2019 - 21.02.2020 , na studiach stacjonarnych (wymagane zapisy - na najbliższy termin zajęte 0 zgłoszenia z dostępnych 10, zgłoszenia minimum 24 godzin przed terminem )
  • Niedziela, w godzinach: 09:00 - 09:50, Gmach Elektrotechniki pokój 308
          w okresie 1.10.2019 - 21.02.2020 , na studiach niestacjonarnych (wymagane zapisy - na najbliższy termin zajęte 0 zgłoszenia z dostępnych 5, zgłoszenia minimum 24 godzin przed terminem )

Przedmioty prowadzone w semestrze 2019Z:

Plan na studiach stacjonarnych w semestrze 2019Z:

Poniedziałek Wtorek Środa Czwartek Piątek
08:15-09:00
1DR1522:A - Projektowanie obwodów elektronicznych i energoelektronicznych GR1, GR2, SK 108
RW Posiedzenie Rady Wydziału nr XXXI/2016-2020 w dniu 23.10.2019 w godzinach 09:00 - 12:00, w sali konferencyjnej nr 4 w Gmachu Starej Kotłowni
1DE1310:A - Układy energoelektroniczne GR1, GR2, GR3, GR4, I połowa sem., GG 219
09:15-10:00
10:15-11:00
Konsultacje 10:00-11:00 w okresie 1.10.2019 - 21.02.2020 (wymagane zapisy) , w sali GE-b 308
11:15-12:00
12:15-13:00
Lab. 1DE1310:A - Układy energoelektroniczne GR1, Cykl inny, część grupy, GE-b 303
13:15-14:00
14:15-15:00
15:15-16:00
16:15-17:00

Plan na studiach niestacjonarnych w semestrze 2019Z:

Piątek
15:20-16:05
16:10-16:55
17:00-17:45
17:50-18:35
18:40-19:25
19:30-20:15
Sobota Niedziela
08:10-08:55
09:00-09:45
Konsultacje 9:00-9:50 w okresie 1.10.2019 - 21.02.2020 (wymagane zapisy) , w sali GE-b 308
09:50-10:35
1ZE1710:A - Teoria przekształtników GR1, pierwsza połowa zjazdów, GE-b 300
Konsultacje 9:00-9:50 w okresie 1.10.2019 - 21.02.2020 (wymagane zapisy) , w sali GE-b 308
10:40-11:25
11:30-12:15
1ZE2333:A - Jakość energii elektrycznej i kompensacja GR1, wszystkie zjazdy, GE-b 300
1ZE2340:A - Projektowanie urządzeń energoelektronicznych GR1, pierwsza połowa zjazdów, GE-b 300
Proj. 1ZE2340:A - Projektowanie urządzeń energoelektronicznych GR1, druga połowa zjazdów, GE-b 303
12:20-13:05
13:10-13:55

Obronione prace dyplomowe i projekty:

1. Uniwersalny sterownik dla jedno lub trójfazowych przekształtników PWM z wykorzystaniem stałoprzecinkowego procesora sygnałowego praca magisterska
2. Badania właściwości statycznych i dynamicznych łączników półprzewodnikowych (Budowa stanowiska laboratoryjnego) praca magisterska
3. Algorytmy sterowania falowników typu Z i ich realizacja w systemie mikroprocesorowym praca magisterska
4. Badania różnych konfiguracji obwodu wejściowego trójfazowego falownika typu Z praca magisterska
5. Trójfazowy falownik typu z jako układ sprzęgający źródła napięcia stałego i przemiennego praca magisterska
6. Trójfazowy falonik z tranzystorami SiC JEFT o podwyższonej częstotliwości przełączeń praca magisterska
7. Metody modulacji szerokości impulsów dla trójfazowego falownika typi Z praca magisterska
8. Optymalna modulacja szerokości impulsów dla szeregowego falownika typu z ? realizacja przy użyciu procesora DSP praca magisterska
9. Model trójfazowego szeregowego falownika typu Z z elementami z węglika krzemu praca magisterska
10. Praca równoległa tranzystorów SiC JFET. praca inżynierska
11. Badania tranzystorów SiC MOSFET praca inżynierska
12. High frequency half-bridge converter with SiC MOSFETs praca inżynierska
13. Oprogramowanie procesora sygnałowego typu dsPIC pod kątem sterowania przekształtników energoelektronicznych praca inżynierska
14. Przekształtnik rezonansowy DC-DC małej mocy. praca inżynierska
15. ANALIZA PORÓWNAWCZA STRAT MOCY DLA MODUŁÓW Si IGBT I SiC MOSFET praca magisterska
16. Series connection of silicon carbide MOSFETS praca inżynierska
17. Porównanie modułów z tranzystorami 3,3kV Si IGBT i SiC MOSFET zastosowanych w falowniku napięcia. praca inżynierska
18. Analiza i badania algorytmu sterowania dla jednofazowego przekształtnika AC-DC o zredukowanej pojemności w obwodzie napięcia stałego praca magisterska
19. Straty mocy w przekształtnikach przy uwzględnieniu wstecznego przewodzenia tranzystorów SiC MOSFET praca magisterska
20. Kontrola potencjału punktu neutralnego w rozszerzonym falowniku typu T praca magisterska
21. Medium voltage power switch based on two SiC MOSFET series-connected inside a module praca magisterska
22. Przetwornica rezonansowa LLC do zastosowania w układach fotowoltaicznych praca magisterska
23. Projekt i budowa wysokoczęstotliwościowego przekształtnika prądu stałego z kondensatorem o zmiennym potencjale praca magisterska
Powrót